Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STB120N4LF6

Name: STMicroelectronics STB120N4LF6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STB120N4LF6
Price: 2.46 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STB120N4LF6

Ürt. Numarası:

STB120N4LF6

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

MOSFET'ler N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STB120N4LF6 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STB120N4LF6 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 1.490

Beklenen 4.01.2027
Fabrika Teslim Süresi:: 26

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	2,46 €	2,46 €
	1,59 €	15,90 €
	1,10 €	110,00 €
	0,937 €	468,50 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
	0,801 €	801,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	40 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	80 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	4 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	80 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	110 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q100
Ticari Unvan:	STripFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Ürün Tipi:	MOSFETs
Seri:	STB120N4LF6
Fabrika Paket Miktarı:	1000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Birim Ağırlık:	4 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STB120N4LF6 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs

STMicroelectronics AEC-Q101 Qualified STripFET Power MOSFETs utilize ST's proprietary trench-based low voltage technology, achieving extremely low conduction losses. These STMicroelectronics power MOSFETs minimize the energy normally lost in electrical drives, leading to greater efficiency and making them suitable for many applications. Housed in industry-standard TO-252 and TO-263 SMD packages with R_DS(on) ranging from 3mΩ to 12.5mΩ, these devices perform well in most low-voltage automotive applications. This product range includes both standard and logic-level thresholds.