STB18N60DM2

STMicroelectronics
511-STB18N60DM2
STB18N60DM2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a D2PAK package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 734

Stok:
734 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,87 € 2,87 €
1,87 € 18,70 €
1,32 € 132,00 €
1,14 € 570,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
0,963 € 963,00 €
0,939 € 1.878,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
600 V
12 A
260 mOhms
- 25 V, 25 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 32.5 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 8 ns
Seri: STB18N60DM2
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 9.5 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13.5 ns
Birim Ağırlık: 4 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99

MDmesh™ DM2 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM2 Power MOSFETs are silicon-based MOSFETs with a fast recovery intrinsic diode optimized for ZVS phase-shift bridge topologies. STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFETS feature a very low recovery charge and time (Qrr, trr) and shows 20% lower RDS(on) compared to the previous generation. High dV/dt ruggedness (40V/ns) ensures improved system reliability.