STB85NF55T4

STMicroelectronics
511-STB85NF55
STB85NF55T4

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-Ch 55 Volt 80 Amp

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
13 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1000   Çoklu: 1000
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
0,912 € 912,00 €
0,894 € 1.788,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
55 V
80 A
8 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
150 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Enhancement
AEC-Q100
STripFET
Reel
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 35 ns
İleri İletkenlik - Min: 120 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 100 ns
Seri: STB85NF55
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 70 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 25 ns
Birim Ağırlık: 4 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low RDS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.