Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STD4N80K5

Name: STMicroelectronics STD4N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD4N80K5
Price: 0.5 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STD4N80K5

Ürt. Numarası:

STD4N80K5

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

MOSFET'ler N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STD4N80K5 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STD4N80K5 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 2500 Çoklu: 2500

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	0,503 €	1.257,50 €
	0,489 €	2.445,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	800 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	3 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	2.1 Ohms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4 V
Qg - Kapı Şarjı:	10.5 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	60 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	MDmesh
Paketleme:	Reel
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	21 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	15 ns
Seri:	STD4N80K5
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	36 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	16.5 ns
Birim Ağırlık:	330 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STD4N80K5 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best R_DS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.