Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STDRIVEG211Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG211Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG211Q
Price: 2.36 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STDRIVEG211Q

Ürt. Numarası:

STDRIVEG211Q

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

Kapı Sürücüleri High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

Tasarımınızı Tamamlayın

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

STDRIVEG211Q Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STDRIVEG211Q hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 664

Stok:: 664 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 52 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	2,36 €	2,36 €
	1,76 €	17,60 €
	1,61 €	40,25 €
	1,44 €	144,00 €
	1,37 €	342,50 €
	1,31 €	641,90 €
	1,26 €	1.234,80 €
	1,20 €	3.528,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	Kapı Sürücüleri
RoHS:
Ürün:	Gate Drivers
Tip:	Half-Bridge
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	QFN-18
Sürücü Sayısı:	2 Driver
Çıkış Sayısı:	3 Output
Çıkış Akımı:	1 A, 2.4 A
Besleme Voltajı - Min:	3.3 V
Besleme Voltajı - Maks:	20 V
Yapılandırma:	Inverting
Yükseliş zamanı:	22 ns
Düşüş Zamanı:	11 ns
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 125 C
Paketleme:	Tray
Marka:	STMicroelectronics
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	TH
Geliştirme Kiti:	EVLSTDRIVEG611
Neme Duyarlı:	Yes
İşletim Besleme Akımı:	1.02 nA
Çıkış Voltajı:	220 V
Ürün Tipi:	Gate Drivers
Yayılma Gecikmesi - Maks:	60 ns
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	7 Ohms
Kapanma:	Shutdown
Fabrika Paket Miktarı:	490
Alt kategori::	PMIC - Power Management ICs
Teknoloji:	GaN

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STDRIVEG211Q Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG211 Half-Bridge Gate Drivers are designed for N‑channel enhancement mode GaN, and the high-side driver section can withstand a voltage rail up to 220V. These drivers feature high current capability, short propagation delay with excellent delay matching, and integrated LDOs. This makes them optimized for driving high-speed GaN. The STDRIVEG211 half-bridge gate drivers feature supply UVLOs tailored to hard switching applications, interlocking to avoid cross-conduction conditions, and an overcurrent comparator with SmartSD. These drivers offer an extended range for input pins that allows easy interfacing with controllers. A standby pin allows for reducing the power consumption during inactive periods or burst mode. Applications include solar micro inverters, Class D audio amplifiers, E-bikes, LED lighting, USB-C, power tools, and robotics.

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.