STDRIVEG600

STMicroelectronics
511-STDRIVEG600
STDRIVEG600

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 877

Stok:
877 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
4,29 € 4,29 €
3,35 € 33,50 €
2,95 € 73,75 €
2,80 € 280,00 €
2,67 € 667,50 €
2,59 € 1.295,00 €
2,45 € 2.450,00 €
2,36 € 4.720,00 €

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
3,50 €
Min:
1

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
SOIC-16
2 Driver
1 Output
5.5 A, 6 A
4.75 V
20 V
7 ns
5 ns
- 40 C
+ 125 C
Tube
Marka: STMicroelectronics
Mantık Türü: CMOS, TTL
Neme Duyarlı: Yes
Çıkış Voltajı: 520 V
Ürün Tipi: Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Teknoloji: GaN
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

STDRIVEG600/210/211 Half-Bridge Gate Drivers

STMicroelectronics STDRIVEG600 and STDRIVEG210/211 Half-Bridge Gate Drivers are single-chip half-bridge gate drivers for GaN (Gallium Nitride) eHEMTs (Enhancement-mode High-Electron-Mobility Transistors) or N-channel power MOSFETs. The high side of the STDRIVEG600 is designed to withstand voltages up to 600V and is suitable for designs with bus voltage up to 500V. These devices are ideal for driving high-speed GaN and silicon FETs due to high current capability, short propagation delay, and operation with a supply voltage down to 5V.