STF26N60DM6

STMicroelectronics
511-STF26N60DM6
STF26N60DM6

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1000   Çoklu: 1000
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
1,28 € 1.280,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
18 A
195 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
24 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 8 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 11 ns
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 39 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.