STGB4M65DF2

STMicroelectronics
511-STGB4M65DF2
STGB4M65DF2

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
15 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 2000   Çoklu: 1000
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
0,336 € 672,00 €
0,324 € 1.620,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
8 A
68 W
- 55 C
+ 175 C
STGB4M65DF2
Reel
Marka: STMicroelectronics
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks: 8 A
Kapı Verici Kaçak Akımı: +/- 250 uA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: IGBTs
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.