Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 4.81 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STGW75H65DFB2-4

Ürt. Numarası:

STGW75H65DFB2-4

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STGW75H65DFB2-4 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 598

Stok:: 598 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	4,81 €	4,81 €
	3,49 €	34,90 €
	3,19 €	319,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	IGBTs
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	Through Hole
Yapılandırma:	Single
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	650 V
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	1.55 V
Maksimum Kapı Verici Voltajı:	- 20 V, 20 V
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı:	115 A
Pd - Güç Dağılımı:	357 W
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Paketleme:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Ürün Tipi:	IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	IGBTs
Birim Ağırlık:	4,430 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STGW75H65DFB2-4 Veri Sayfası (PDF)

PCN

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at T_J=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (V_CE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive V_CE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.