STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

Ürt.:

Açıklama:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 990

Stok:
990 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
2,87 € 2,87 €
1,76 € 17,60 €
1,21 € 121,00 €
1,08 € 648,00 €
0,972 € 1.166,40 €
0,869 € 2.607,00 €
0,856 € 4.622,40 €
0,853 € 8.700,60 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marka: STMicroelectronics
Kapı Verici Kaçak Akımı: 250 nA
Ürün Tipi: IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: IGBTs
Birim Ağırlık: 6,100 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT is an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. The HB2 series optimizes conduction with premium VCE(sat) at low current values and reduced switching energy. The STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT features a low VCE(sat) of 1.65V (typical) at an IC of 20A. 

1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 1200V H Series Trench Gate Field-Stop IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. With ST's advanced Trench-Gate Field-Stop High-Speed technology, these IGBTs have a 5μs minimum short circuit withstand time at TJ=150°C, minimal collector current turn off tail, and very low saturation voltage (VCE(sat)) down to 2.1V (typical) to minimize energy losses during switching and when turned on. Furthermore, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.