Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STGWA60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWA60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA60H65DFB
Price: 3.84 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STGWA60H65DFB

Ürt. Numarası:

STGWA60H65DFB

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STGWA60H65DFB Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STGWA60H65DFB hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 591

Beklenen 1.04.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 14

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	3,84 €	3,84 €
	2,56 €	25,60 €
	1,98 €	198,00 €
	1,75 €	1.050,00 €
	1,50 €	1.800,00 €
	1,44 €	4.320,00 €
	1,42 €	7.668,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	IGBTs
RoHS:
Teknoloji:	Si
Paket / Kasa:	TO-247-3
Montaj Stili:	Through Hole
Yapılandırma:	Single
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	650 V
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	2 V
Maksimum Kapı Verici Voltajı:	- 20 V, 20 V
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı:	80 A
Pd - Güç Dağılımı:	375 W
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	STGWA60H65DFB
Paketleme:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks:	80 A
Kapı Verici Kaçak Akımı:	250 nA
Ürün Tipi:	IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı:	600
Alt kategori::	IGBTs
Birim Ağırlık:	38 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STGWA60H65DFB Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.