Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STGWT60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT60H65DFB
Price: 4.09 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STGWT60H65DFB

Ürt. Numarası:

STGWT60H65DFB

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STGWT60H65DFB Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STGWT60H65DFB hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 297

Stok:: 297 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	4,09 €	4,09 €
	2,28 €	22,80 €
	1,59 €	159,00 €
	1,53 €	918,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	IGBTs
RoHS:
Teknoloji:	Si
Paket / Kasa:	TO-3P
Montaj Stili:	Through Hole
Yapılandırma:	Single
Kollektör - Verici Voltaj VCBO Maks:	650 V
Kollektör-Emitör Doygunluk Voltajı:	1.6 V
Maksimum Kapı Verici Voltajı:	- 20 V, 20 V
25 C'de Sürekli Kollektör Akımı:	80 A
Pd - Güç Dağılımı:	375 W
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Seri:	STGWT60H65DFB
Paketleme:	Tube
Marka:	STMicroelectronics
Sürekli Kollektör Akımı Ic Maks:	60 A
Kapı Verici Kaçak Akımı:	250 nA
Ürün Tipi:	IGBT Transistors
Fabrika Paket Miktarı:	300
Alt kategori::	IGBTs
Birim Ağırlık:	6,756 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STGWT60H65DFB Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.