STI47N60DM6AG

STMicroelectronics
511-STI47N60DM6AG
STI47N60DM6AG

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 21

Stok:
21 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
21'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,10 € 6,10 €
4,51 € 45,10 €
3,65 € 365,00 €
3,27 € 1.635,00 €
2,77 € 2.770,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
I2PAK-3
N-Channel
1 Channel
600 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ürün Tipi: MOSFETs
Seri: STI47N60DM6AG
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.