Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STL10N60M6

Name: STMicroelectronics STL10N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL10N60M6
Price: 2.03 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STL10N60M6

Ürt. Numarası:

STL10N60M6

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

MOSFET'ler N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STL10N60M6 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STL10N60M6 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 1.787

Stok:: 1.787 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	2,03 €	2,03 €
	1,31 €	13,10 €
	0,894 €	89,40 €
	0,719 €	359,50 €
	0,656 €	656,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,588 €	1.764,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerFLAT-5x6-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	600 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	5.5 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	660 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3.25 V
Qg - Kapı Şarjı:	8.8 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	48 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	MDmesh
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	10 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	8.2 ns
Seri:	Mdmesh M6
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	23 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	11 ns
Birim Ağırlık:	76 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STL10N60M6 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETs combine a low gate charge (Q_g) with an optimized capacitance profile to target high efficiency on new topologies in power conversion applications. The super-junction MDmesh M6 series offers extremely high-efficiency performance resulting in increased power density and a low gate charge for high frequencies. STMicroelectronics M6 series MOSFETs have a breakdown voltage ranging from 600 to 700V. The MOSFETs are available in a wide range of packaging options, including a TO-Leadless (TO-LL) package solution, allowing efficient thermal management. The devices include a wide range of operating voltages for industrial applications, including chargers, adapters, silver box modules, LED lighting, telecom, server, and solar.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best R_DS(on)*Q_g in the industry.