Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STL8N10LF3

Name: STMicroelectronics STL8N10LF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL8N10LF3
Price: 1.69 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STL8N10LF3

Ürt. Numarası:

STL8N10LF3

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

MOSFET'ler N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STL8N10LF3 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

STMicroelectronics STL8N10LF3 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: 0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Siparişte:: 2.838

Beklenen 17.02.2026
Fabrika Teslim Süresi:: 13

Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,69 €	1,69 €
	1,20 €	12,00 €
	0,877 €	87,70 €
	0,797 €	398,50 €
	0,759 €	759,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,676 €	2.028,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	PowerFLAT-5x6-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	100 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	7.8 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	25 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1 V
Qg - Kapı Şarjı:	20.5 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	70 W
Kanal Modu:	Enhancement
Vasıf:	AEC-Q101
Ticari Unvan:	STripFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	5.2 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	9.6 ns
Seri:	STL8N10LF3
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	50.6 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	8.7 ns
Birim Ağırlık:	76 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STL8N10LF3 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STripFET Power MOSFETs

STMIcroelectronics STripFET™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from the latest refinement of the STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a new gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits the high current and low R_DS(on) required by automotive and industrial switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), DC/DC converters, induction heater vaporizers, and solar. STMicroelectronics STripFET Power MOSFETs have a very low switching gate charge, high avalanche ruggedness, low gate drive power losses, and high power density.

STripFET III™ Power MOSFETs

STMicroelectronics STripFET III™ Power MOSFETs are enhancement-mode MOSFETs that benefit from STMicroelectronics proprietary STripFET technology with a gate structure. The resulting STripFET Power MOSFET exhibits a high current and low R_DS(on). These STripFET Power MOSFETs have improved specific on-resistance for lower conduction losses. The planar technology used in these devices is ideal for high-efficiency, low-voltage systems.