Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

STO33N60M6

Name: STMicroelectronics STO33N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STO33N60M6
Price: 1.92 EUR
Availability: OutOfStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

511-STO33N60M6

Ürt. Numarası:

STO33N60M6

Ürt.:

STMicroelectronics

Açıklama:

MOSFET'ler N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET

Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:

STO33N60M6 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:: Stokta Yok

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 137 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1800 Çoklu: 1800

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (1800'in katları olarak sipariş verin)
	1,92 €	3.456,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	STMicroelectronics
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	TO-LL-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	600 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	25 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	125 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	4.75 V
Qg - Kapı Şarjı:	33.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	230 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	MDmesh
Paketleme:	Reel
Marka:	STMicroelectronics
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	7.5 ns
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	33 ns
Seri:	MDmesh M6
Fabrika Paket Miktarı:	1800
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	38.5 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	19.5 ns
Birim Ağırlık:	76 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

STO33N60M6 Veri Sayfası (PDF)

PCN

Technical Resources

TO-LL and MDmesh M6 the latest breakthrough in high-level telecom SMPS (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M6 MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETs combine a low gate charge (Q_g) with an optimized capacitance profile to target high efficiency on new topologies in power conversion applications. The super-junction MDmesh M6 series offers extremely high-efficiency performance resulting in increased power density and a low gate charge for high frequencies. STMicroelectronics M6 series MOSFETs have a breakdown voltage ranging from 600 to 700V. The MOSFETs are available in a wide range of packaging options, including a TO-Leadless (TO-LL) package solution, allowing efficient thermal management. The devices include a wide range of operating voltages for industrial applications, including chargers, adapters, silver box modules, LED lighting, telecom, server, and solar.

STO65N60DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STO65N60DM6 Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series combining very low recovery charge (Q_rr), recovery time (t_rr), and excellent improvement in R_DS(on). The STO65N60DM6 offers excellent switching performance via the extra driving source pin. This performance makes the STM STO65N60DM6 Power MOSFET ideal for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

STO67N60x MDmesh Power MOSFETs

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested N-channel power MOSFETs suited for switching applications. These power MOSFETs feature excellent switching performance, low gate input resistance, and lower R_DS(on) per area compared to the previous generation. The STO67N60DM6 power MOSFET is a fast-recovery body diode and combines a very low recovery charge (Q_rr) and recovery time (t_rr) with the most effective switching behavior. The STMicroelectronics STO67N60M6 power MOSFET is ideal for LLC converters and boost PFC converters.