STP28N65M2

STMicroelectronics
511-STP28N65M2
STP28N65M2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Tasarımınızı Tamamlayın

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
STMicroelectronics STP28N65M2 hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
20 A
150 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C
170 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 8.8 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 10 ns
Seri: STP28N65M2
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 59 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13.4 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Çin
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between RDS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Stokta Var: 254

Stok:
254
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
1.000
Beklenen 19.03.2027
Fabrika Teslim Süresi:
24
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,47 € 3,47 €
1,76 € 17,60 €
1,60 € 160,00 €
1,31 € 655,00 €
1,29 € 1.290,00 €
1,25 € 2.500,00 €

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.