STP50N60DM6

STMicroelectronics
511-STP50N60DM6
STP50N60DM6

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 209

Stok:
209 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
5,32 € 5,32 €
3,03 € 30,30 €
2,78 € 278,00 €
2,56 € 1.280,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
650 V
36 A
80 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
55 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Ürün Tipi: MOSFETs
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET

STMicroelectronics STP50N60DM6 MDmesh™ DM6 Power MOSFET is a high-voltage N-channel power MOSFET with extremely high dv/dt ruggedness. This power MOSFET is a fast-recovery body diode that is Zener-protected and 100% avalanche-tested. The STMicroelectronics STP50N60DM6 power MOSFET offers low gate charge, low input capacitance, low resistance, and lower RDS(on) per area compared to the previous generation. This MOSFET combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr), and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behavior. The STP50N60DM6 MDmesh DM6 power MOSFET is ideal for switching applications.