STPSC20G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC20G12WL
STPSC20G12WL

Ürt.:

Açıklama:
SiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 878

Stok:
878 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
25 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
9,31 € 9,31 €
5,18 € 51,80 €
5,07 € 507,00 €
4,88 € 2.928,00 €
4,76 € 5.712,00 €
25.200 Fiyat Teklifi

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: SiC Schottky Diodes
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
20 A
1.2 kV
1.35 V
180 A
10 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marka: STMicroelectronics
Ürün Tipi: SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Diodes & Rectifiers
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of STMicroelectronics design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, is available to make adding to a design-in easy.

STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes

STMicroelectronics STPSC20G12 Silicon Carbide Power Schottky Diodes are available in a DO-247 package with long leads. The STMicroelectronics STPSC20G12 is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 1200V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown during turn-off, and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.