STU6N95K5

STMicroelectronics
511-STU6N95K5
STU6N95K5

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 4.280

Stok:
4.280 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
1,21 € 1,21 €
1,03 € 10,30 €
1,01 € 101,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
950 V
9 A
1.25 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
13 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 21 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 12 ns
Seri: STU6N95K5
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 33 nS
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 12 ns
Birim Ağırlık: 340 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.