STW65N60DM6

STMicroelectronics
511-STW65N60DM6
STW65N60DM6

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 508

Stok:
508 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
5,95 € 5,95 €
4,16 € 41,60 €
3,35 € 335,00 €
2,99 € 1.794,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38 A
71 mOhms
- 25 V, 25 V
3.25 V
54 nC
- 55 C
+ 150 C
250 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Ürün Tipi: MOSFETs
Seri: DM6
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.