STW7N105K5

STMicroelectronics
511-STW7N105K5
STW7N105K5

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 248

Stok:
248 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
3,36 € 3,36 €
2,20 € 22,00 €
1,62 € 162,00 €
1,44 € 864,00 €
1,23 € 1.476,00 €
1,16 € 3.480,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
STMicroelectronics
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.05 kV
4 A
2 Ohms
- 30 V, 30 V
3 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
110 W
Enhancement
SuperMESH
Tube
Marka: STMicroelectronics
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 25 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 7 ns
Seri: STW7N105K5
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 43 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 17.5 ns
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.