CSD16408Q5

Texas Instruments
595-CSD16408Q5
CSD16408Q5

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-Channel NexFET Pwr MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Stokta Yok
Fabrika Teslim Süresi:
6 Hafta Fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 2500   Çoklu: 2500
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
0,503 € 1.257,50 €
0,489 € 2.445,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Texas Instruments
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
25 V
100 A
5.4 mOhms
- 16 V, 16 V
1.8 V
6.7 nC
- 55 C
+ 150 C
3.1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Marka: Texas Instruments
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 10.8 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 25 ns
Seri: CSD16408Q5
Fabrika Paket Miktarı: 2500
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 11 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 11.3 ns
Birim Ağırlık: 105,800 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8542399000
MXHTS:
85423999
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFET: CSD16408Q5

The Texas Instruments CSD16408Q5 N-channel NexFET™ power MOSFET minimizes losses in power conversion applications and features ultralow gate charge total and gate charge gate to drain. The TI CSD16408Q5 NexFET MOSFET is avalanche rated and features low thermal resistance. The TI CSD16408Q5 power MOSFET is ideal for Point-of-Load synchronous buck in network, telecom, and computing systems. This NexFET device is also optimized for Control FET applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.