CSD17313Q2

Texas Instruments
595-CSD17313Q2
CSD17313Q2

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 30V N Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD17313Q2T

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 8.892

Stok:
8.892
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
9.000
Beklenen 3.03.2026
Fabrika Teslim Süresi:
12
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
0,662 € 0,66 €
0,418 € 4,18 €
0,275 € 27,50 €
0,224 € 112,00 €
0,18 € 180,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,16 € 480,00 €
0,149 € 894,00 €
0,122 € 1.098,00 €
0,12 € 2.880,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
1,07 €
Min:
1

Benzer Ürün

Texas Instruments CSD17313Q2T
Texas Instruments
MOSFET'ler 30V N-Channel NexFE T Power Mosfet A 595 A 595-CSD17313Q2

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Texas Instruments
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WSON-6
N-Channel
1 Channel
30 V
5 A
30 mOhms
- 8 V, 8 V
900 mV
2.1 nC
- 55 C
+ 150 C
17 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Yapılandırma: Single
Geliştirme Kiti: TMDSCSK388, TMDSCSK8127
Düşüş Zamanı: 1.3 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 3.9 ns
Seri: CSD17313Q2
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 4.2 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 2.8 ns
Birim Ağırlık: 8,700 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CSD17303Q5 / CSD17313Q2 NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments CSD17303Q5 and CSD17313Q2 30V N-Channel NexFET™ Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. The TI CSD17303Q5 and TI CSD17313Q2 NexFET Power MOSFETs feature ultralow Qg and Qgd as well as low thermal resistance.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFETPower MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.