CSD19503KCS

Texas Instruments
595-CSD19503KCS
CSD19503KCS

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 80V 7.6mOhm N-CH Pwr MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 1.559

Stok:
1.559 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
2,31 € 2,31 €
1,17 € 11,70 €
1,05 € 105,00 €
0,847 € 423,50 €
0,726 € 726,00 €
0,70 € 3.500,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Texas Instruments
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
80 V
100 A
9.2 mOhms
- 20 V, 20 V
2.8 V
28 nC
- 55 C
+ 150 C
188 W
Enhancement
NexFET
Tube
Marka: Texas Instruments
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 2 ns
İleri İletkenlik - Min: 110 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 3 ns
Seri: CSD19503KCS
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 11 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 7 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8542399000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.