Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

CSD25211W1015

Name: Texas Instruments CSD25211W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25211W1015
Price: 0.74 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

595-CSD25211W1015

Ürt. Numarası:

CSD25211W1015

Ürt.:

Texas Instruments

Açıklama:

MOSFET'ler PCh NexFET Power MOS FET

Veri Sayfası:

CSD25211W1015 Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Texas Instruments CSD25211W1015 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 3.633

Stok:: 3.633 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	0,748 €	0,75 €
	0,46 €	4,60 €
	0,301 €	30,10 €
	0,252 €	126,00 €
	0,227 €	227,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
	0,188 €	564,00 €
	0,158 €	948,00 €
	0,141 €	1.269,00 €
	0,136 €	3.264,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Texas Instruments
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	DSBGA-6
Transistör Polaritesi:	P-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	20 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	3.2 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	44 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	800 mV
Qg - Kapı Şarjı:	3.4 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	1 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	NexFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	14.2 ns
İleri İletkenlik - Min:	12 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	8.8 ns
Seri:	CSD25211W1015
Fabrika Paket Miktarı:	3000
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	1 P-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	36.9 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	13.6 ns
Birim Ağırlık:	1,700 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CSD25211W1015 Veri Sayfası

Images

PCN

SPICE Models

CSD25211W1015 PSPICE Model

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET P-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET P-Channel Power MOSFETs are designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in a small outline with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. These Texas Instruments NexFET MOSFETs feature ultra-low on-resistance, ultra-low Q_g and Q_gd, and a small footprint of 1.0mm x 1.5mm.