CSD25501F3T

Texas Instruments
595-CSD25501F3T
CSD25501F3T

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler #NAME?

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 170

Stok:
170 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (250'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
1,20 € 1,20 €
0,558 € 5,58 €
0,414 € 41,40 €
Tam Makara (250'in katları olarak sipariş verin)
0,414 € 103,50 €
0,329 € 164,50 €
0,304 € 304,00 €
0,29 € 725,00 €
0,287 € 1.435,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:
Paketleme:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Stok Durumu:
Stokta Var
Fiyat:
0,33 €
Min:
1

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Texas Instruments
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PICOSTAR-3
P-Channel
1 Channel
20 V
3.6 A
260 mOhms
- 20 V, 20 V
1.05 V
1.02 nC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 945 ns
İleri İletkenlik - Min: 3.4 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 428 ns
Seri: CSD25501F3
Fabrika Paket Miktarı: 250
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 P-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 1154 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 474 ns
Birim Ağırlık: 0,300 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541210101
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET

Texas Instruments CSD25501F3 –20V 64mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size. The integrated 10kΩ clamp resistor (RC) allows the gate voltage (VGS) to be operated above the maximum internal gate oxide value of –6V, depending on the duty cycle. The gate leakage (IGSS) through the diode of the Texas Instruments CSD25501F3 increases as VGS is increased above –6V.