Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

CSD86330Q3D

Name: Texas Instruments CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86330Q3D
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

595-CSD86330Q3D

Ürt. Numarası:

CSD86330Q3D

Ürt.:

Texas Instruments

Açıklama:

MOSFET'ler Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

Veri Sayfası:

CSD86330Q3D Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Texas Instruments CSD86330Q3D hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 16.315

Stok:: 16.315 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	2,30 €	2,30 €
	1,52 €	15,20 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,886 €	886,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	0,788 €	1.970,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Texas Instruments
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
REACH - SVHC:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	LSON-CLIP-8
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	2 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	25 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	4.5 A
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.1 V, 1.6 V
Qg - Kapı Şarjı:	6.2 nC, 12 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	6 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	NexFET
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Yapılandırma:	Dual
Geliştirme Kiti:	CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
Düşüş Zamanı:	1.9 ns, 4.2 ns
İleri İletkenlik - Min:	52 S, 82 S
Ürün Tipi:	MOSFETs
Yükseliş zamanı:	7.5 ns, 6.3 ns
Seri:	CSD86330Q3D
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	Transistors
Transistör Tipi:	2 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	8.5 ns, 15.8 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	4.9 ns, 5.3 ns
Birim Ağırlık:	64 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CSD86330Q3D Veri Sayfası

Application Notes

Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.