CSD87331Q3D

Texas Instruments
595-CSD87331Q3D
CSD87331Q3D

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler 30V Sync Buck NexFET Power Block

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 445

Stok:
445 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
0,963 € 0,96 €
0,628 € 6,28 €
0,519 € 51,90 €
0,498 € 249,00 €
0,466 € 466,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
0,408 € 1.020,00 €
0,384 € 1.920,00 €
0,378 € 9.450,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Texas Instruments
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
LSON-CLIP-8
N-Channel
2 Channel
30 V
15 A
18 mOhms, 5.5 mOhms
- 8 V, 10 V
2.1 V, 1.2 V
2.7 nC, 6.4 nC
- 55 C
+ 150 C
6 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Yapılandırma: Dual
Düşüş Zamanı: 1.3 ns, 2.4 ns
İleri İletkenlik - Min: 48 S / 26 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 4.5 ns, 4.7 ns
Seri: CSD87331Q3D
Fabrika Paket Miktarı: 2500
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 2 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 7.4 ns, 11.2 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 3.4 ns, 3.8 ns
Birim Ağırlık: 41 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.