LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments
595-LM5113QDPRRQ1
LM5113QDPRRQ1

Ürt.:

Açıklama:
Kapı Sürücüleri Automotive 1.2-A/5-A 100-V half bridge

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 5.139

Stok:
5.139 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
12 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (4500'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
3,79 € 3,79 €
2,88 € 28,80 €
2,65 € 66,25 €
2,40 € 240,00 €
2,28 € 570,00 €
2,21 € 1.105,00 €
2,15 € 2.150,00 €
2,10 € 5.250,00 €
Tam Makara (4500'in katları olarak sipariş verin)
2,05 € 9.225,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Texas Instruments
Ürün Kategorisi: Kapı Sürücüleri
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
WSON-10
2 Driver
2 Output
5 A
4.5 V
5.5 V
7 ns
3.5 ns
- 40 C
+ 125 C
LM5113
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Texas Instruments
Maksimum Kapatma Gecikme Süresi: 26.5 ns
Maksimum Açılma Gecikme Süresi: 28 ns
İşletim Besleme Akımı: 2 mA
Ürün Tipi: Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı: 4500
Alt kategori:: PMIC - Power Management ICs
Teknoloji: Si
Birim Ağırlık: 49,200 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver

Texas Instruments LM5113/LM5113-Q1 Half-Bridge Gate Driver is designed to drive both the high-side and the low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of driving a high-side enhancement mode GaN FET operating up to 100V. The high-side bias voltage is generated using a bootstrap technique and is internally clamped at 5.2V. This clamping prevents the gate voltage from exceeding the maximum gate-source voltage rating of enhancement mode GaN FETs. The inputs of the LM5113/LM5113-Q1 are TTL logic compatible and can withstand input voltages up to 14V regardless of the VDD voltage. The LM5113/LM5113-Q1 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turn-on and turn-off strength independently. The LM5113-Q1 devices are AEC-Q100 qualified for automotive applications.