Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

TPS28226DR

Name: Texas Instruments TPS28226DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPS28226DR
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

595-TPS28226DR

Ürt. Numarası:

TPS28226DR

Ürt.:

Texas Instruments

Açıklama:

Kapı Sürücüleri Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver A 595 A 595-TPS28226D

Veri Sayfası:

TPS28226DR Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Texas Instruments TPS28226DR hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 2.336

Stok:: 2.336 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 6 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Paketleme:

Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Kesilmiş Bant

MouseReel™ (+5,00 €)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™ ^†
	1,20 €	1,20 €
	0,98 €	9,80 €
	0,886 €	22,15 €
	0,792 €	79,20 €
	0,745 €	186,25 €
	0,716 €	358,00 €
	0,691 €	691,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
	0,638 €	1.595,00 €
	0,63 €	4.725,00 €

† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez. ↩

Alternatif Ambalajlar

Ürt. Parça Numarası:

TPS28226D

Paketleme:

Tube

Stok Durumu:

Stokta Var

Fiyat:

1,39 €

Min:

Benzer Ürün

Ürt.:

Texas Instruments

Ürt. Numarası:

TPS28226D

Açıklama:

Kapı Sürücüleri Hi Fre 4A Sink Synch MOSFET Driver

Yaşam Döngüsü:

Yaşamın Sonu: Eskime için planlanmıştır ve üretici tarafından üretimi durdurulacaktır.

Mevcut Parça ile Karşılaştırın

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Texas Instruments
Ürün Kategorisi:	Kapı Sürücüleri
RoHS:
Ürün:	MOSFET Gate Drivers
Tip:	Half-Bridge
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	SOIC-8
Sürücü Sayısı:	2 Driver
Çıkış Sayısı:	2 Output
Çıkış Akımı:	4 A
Besleme Voltajı - Min:	6.8 V
Besleme Voltajı - Maks:	8 V
Yükseliş zamanı:	10 ns
Düşüş Zamanı:	5 ns
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 125 C
Seri:	TPS28226
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Paketleme:	MouseReel
Marka:	Texas Instruments
Özellikler:	Synchronous Rectification
Maksimum Kapatma Gecikme Süresi:	14 ns
Pd - Güç Dağılımı:	1.25 W
Ürün Tipi:	Gate Drivers
Fabrika Paket Miktarı:	2500
Alt kategori::	PMIC - Power Management ICs
Teknoloji:	Si
Birim Ağırlık:	72,600 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

PCN

Product Catalogs

Power Management Guide 2018 (Rev. R)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
JPHTS:: 854239099
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

TPS28226 8-Pin Sink Synchronous MOSFET Drivers

Texas Instruments TPS28226 8-Pin High-Frequency 4A Sink Synchronous MOSFET Drivers is optimized for a variety of high-current one and multi-phase DC-to-DC converters. The Texas Instruments TPS28226 MOSFET Drivers have a small-size and low EMI emissions, providing a high-efficiency solution. Efficiency is achieved by up to 8.8V gate drive voltage, 14ns adaptive dead-time control, 14ns propagation delays, and high-current 2A source with 4A sink drive capability. The 0.4Ω impedance for the lower gate driver holds the gate of power MOSFET below its threshold. This feature ensures no shoot-through current at high dV/dt phase node transitions. Charged by an internal diode, the bootstrap capacitor allows the use of N-channel MOSFETs in a half-bridge configuration.