CUHS10F60,H3F

Toshiba
757-CUHS10F60H3F
CUHS10F60,H3F

Ürt.:

Açıklama:
Schottky Diyotlar ve Doğrultucular Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 5.651

Stok:
5.651 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
14 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
0,31 € 0,31 €
0,192 € 1,92 €
0,121 € 12,10 €
0,09 € 45,00 €
0,079 € 79,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,059 € 177,00 €
0,054 € 324,00 €
0,049 € 441,00 €
0,048 € 1.152,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Toshiba
Ürün Kategorisi: Schottky Diyotlar ve Doğrultucular
RoHS:  
Single
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: Toshiba
Montaj Ülkesi: TH
Dağıtım Ülkesi: JP
Menşe Ülke: TH
Ürün Tipi: Schottky Diodes & Rectifiers
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Diodes & Rectifiers
Birim Ağırlık: 5,400 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99

Small Signal Schottky Barrier Diodes

Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes come in a variety of packages, voltages, and current ratings to meet a variety of design requirements. Voltages range from 10V to 60V with current ratings from 0.05A to 2A. Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes feature high-speed switching and a low leakage current.

CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to +150°C and a maximum junction temperature of +150°C. The Toshiba CUHS10F60 SBD also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.

CUHSx Schottky Barrier Diodes

Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes (SBDs) are suitable for rectifying power supply circuits and protecting reverse currents. These diodes are high-speed switching devices that incorporate Si technology and use a US2H package to achieve low-thermal resistance. These SBDs offer a reverse leakage greater than other types of diodes making them more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. To improve the efficiency of power supply use, these SBDs are required to have low forward voltage and low reverse current. The DC-DC boost converter ICs are used in voltage-boosting circuits for driving LCD backlight LEDs in portable devices like smartphones, tablets, and notebook PCs. In addition to the DC-DC converter circuits, Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes are also used in applications such as motor driver circuits, MOSFET gate driver circuits, and freewheeling diodes.