TK100A10N1,S4X
Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
757-TK100A10N1S4X
TK100A10N1,S4X
Ürt.:
Açıklama:
MOSFET'ler MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
MOSFET'ler MOSFET NCh 3.1ohm VGS10V10uAVDS100V
Veri Sayfası:
Stokta Var: 141
-
Stok:
-
141 Hemen GönderilebilirBeklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
-
Fabrika Teslim Süresi:
-
20 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Fiyatlandırma (EUR)
| Miktar | Birim Fiyat |
Toplam Fiyat
|
|---|---|---|
| 4,82 € | 4,82 € | |
| 2,55 € | 25,50 € | |
| 2,37 € | 237,00 € | |
| 1,99 € | 995,00 € |
Veri Sayfası
Application Notes
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
