TK10A60W,S4VX

Toshiba
757-TK10A60WS4VX
TK10A60W,S4VX

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 79

Stok:
79 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
32 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
1,58 € 1,58 €
1,19 € 11,90 €
1,14 € 114,00 €
1,12 € 560,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Toshiba
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
9.7 A
327 mOhms
- 30 V, 30 V
3.7 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marka: Toshiba
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 5.5 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 22 ns
Seri: TK10A60W
Fabrika Paket Miktarı: 50
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 75 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 45 ns
Birim Ağırlık: 2 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.