TK39N60W5,S1VF

Toshiba
757-TK39N60W5S1VF
TK39N60W5,S1VF

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler Power MOSFET N-Channel

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 4.415

Stok:
4.415 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
18 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
6,26 € 6,26 €
3,81 € 38,10 €
3,51 € 421,20 €
3,06 € 1.560,60 €
2,99 € 7.534,80 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Toshiba
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
38.8 A
62 mOhms
- 30 V, 30 V
3 V
135 nC
- 55 C
+ 150 C
270 W
Enhancement
DTMOSIV
Tube
Marka: Toshiba
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 9 ns
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 120 ns
Seri: TK39N60W5
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 200 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 180 ns
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the RDS(on) makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.