TPH7R506NH,L1Q
Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın
757-TPH7R506NHL1Q
TPH7R506NH,L1Q
Ürt.:
Açıklama:
MOSFET'ler U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
MOSFET'ler U-MOSVIII-H 60V 55A 31nC MOSFET
Veri Sayfası:
Stokta Var: 15.817
-
Stok:
-
15.817 Hemen GönderilebilirBeklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
-
Fabrika Teslim Süresi:
-
16 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Fiyatlandırma (EUR)
| Miktar | Birim Fiyat |
Toplam Fiyat
|
|---|---|---|
| Hazır Kesim Bant / MouseReel™ † | ||
| 1,26 € | 1,26 € | |
| 0,998 € | 9,98 € | |
| 0,687 € | 68,70 € | |
| 0,595 € | 297,50 € | |
| 0,55 € | 550,00 € | |
| 0,507 € | 1.267,50 € | |
| Tam Makara (5000'in katları olarak sipariş verin) | ||
| 0,476 € | 2.380,00 € | |
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.
↩
Veri Sayfası
Application Notes
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Simple Guide to Improving Ripple Rejection Ratio of LDO Regulators
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- CAHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- JPHTS:
- 8541290100
- KRHTS:
- 8541299000
- TARIC:
- 8541290000
- MXHTS:
- 85412999
- ECCN:
- EAR99
