FFSD0665A

onsemi
863-FFSD0665A
FFSD0665A

Ürt.:

Açıklama:
SiC Schottky Diodes 650V 6A SIC SBD

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 553

Stok:
553 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
13 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,95 € 2,95 €
1,89 € 18,90 €
1,34 € 134,00 €
1,16 € 580,00 €
1,15 € 1.150,00 €
Tam Makara (2500'in katları olarak sipariş verin)
1,08 € 2.700,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: SiC Schottky Diodes
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Single
6 A
650 V
1.5 V
42 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSD0665A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Pd - Güç Dağılımı: 89 W
Ürün Tipi: SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı: 2500
Alt kategori:: Diodes & Rectifiers
Ticari Unvan: EliteSiC
Vr - Ters Voltaj: 650 V
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

D1 EliteSiC Diodes

onsemi D1 EliteSiC Diodes is a high-performance and versatile solution designed for modern power electronics applications. The onsemi D1 features voltage ratings of 650V, 1200V, and 1700V. These diodes offer the flexibility to meet various design requirements. Featuring different packages, such as D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, and TO-247-3, the D1 EliteSiC Diodes provide designers with options to optimize board space and thermal performance.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.