Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

NVMFD020N06CT1G

Name: onsemi NVMFD020N06CT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFD020N06CT1G
Price: 0.83 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

863-NVMFD020N06CT1G

Ürt. Numarası:

NVMFD020N06CT1G

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

MOSFET'ler T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO

Veri Sayfası:

NVMFD020N06CT1G Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi NVMFD020N06CT1G hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

7.500 20 Gün İçinde Gönderilebilir

Miktar Girin:

Minimum: 1500 Çoklu: 1500

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
Tam Makara (1500'in katları olarak sipariş verin)
	0,836 €	1.254,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	MOSFET'ler
RoHS:
Teknoloji:	Si
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	SO-8FL-Dual-8
Paketleme:	Reel
Marka:	onsemi
Montaj Ülkesi:	Not Available
Dağıtım Ülkesi:	Not Available
Menşe Ülke:	MY
Ürün Tipi:	MOSFETs
Seri:	NVMFD020N06C
Fabrika Paket Miktarı:	1500
Alt kategori::	Transistors
Birim Ağırlık:	161,193 mg

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

NVMFD020N06CT1G Veri Sayfası

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Trench6 N-Channel MV MOSFETs

onsemi Trench6 N-Channel MV MOSFETs are 30V, 40V, and 60V MOSFETs produced using an advanced Power Trench process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.