Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Bir Hata mı Gördünüz?

UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 19.92 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

431-UF3SC065030B7S

Ürt. Numarası:

UF3SC065030B7S

Ürt.:

onsemi

Açıklama:

SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO263-7

Veri Sayfası:

UF3SC065030B7S Veri Sayfası

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

onsemi UF3SC065030B7S hakkında daha fazla bilgi edinin

Stok Durumu

Stok:: Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

56.800 20 Gün İçinde Gönderilebilir

Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	19,92 €	19,92 €
	14,44 €	144,40 €
	14,40 €	1.440,00 €
Tam Makara (800'in katları olarak sipariş verin)
	14,40 €	11.520,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	onsemi
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
Montaj Stili:	SMD/SMT
Paket / Kasa:	D2PAK-7
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	650 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	62 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	27 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	6 V
Qg - Kapı Şarjı:	43 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	214 W
Kanal Modu:	Enhancement
Ticari Unvan:	SiC FET
Marka:	onsemi
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	11 ns, 9 ns
Neme Duyarlı:	Yes
Paketleme:	Reel
Paketleme:	Cut Tape
Ürün:	SiC FETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	26 ns, 28 ns
Seri:	UF3SC
Fabrika Paket Miktarı:	800
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tip:	SiC FET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	46 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	23 ns
Birim Ağırlık:	4,675 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

UF3SC065030B7S Veri Sayfası

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK

onsemi UF3SC High-Performance SiC FETs in D2-PAK-7L (7-lead Kelvin package) are based on a unique 'cascode' circuit configuration and feature excellent reverse recovery. This circuit configuration includes a normally-on SiC JFET to be co-packaged with Si MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow true “drop-in replacement” to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These high-performance SiC FETs operate at 175°C maximum temperature, 43nC low gate charge, and 5V typical threshold voltage. Typical applications include telecom and server power, motor drives, induction heating, and industrial power supplies.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs

onsemi UF3SC 650V and 1200V High-Performance SiC FETs are silicon carbide devices with low R_DS(on) of 7mΩ to 45mΩ built for fast switching speeds and lower switching losses. These devices are based on a unique cascode circuit configuration and exhibit an ultra-low gate charge. The cascode configuration employs a normally-on SiC JFET co-packaged with a Silicon MOSFET to produce a normally-off SiC FET device. The UF3SC FETs feature standard gate-drive characteristics that allow a true "drop-in replacement" to Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, or Si super-junction devices. These SiC FETs include low intrinsic capacitance and excellent reverse recovery. onsemi UF3SC FETs operate at -55°C to +175°C temperature range and a -20V to +20V gate-source voltage range. These SiC FETs are ideal for electric-vehicle (EV) charging, photovoltaic (PV) inverters, motor drives, switch-mode power supplies, power factor correction (PFC) modules, and induction heating. The onsemi UF3SC SiC FETs are available in TO-247-3L and TO-247-4L package options for faster switching and clean gate waveforms.