UJ3N065080K3S

onsemi
431-UJ3N065080K3S
UJ3N065080K3S

Ürt.:

Açıklama:
JFET'ler 650V/80MOSICJFETG3TO2

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 470

Stok:
470 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
31 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
9,72 € 9,72 €
5,81 € 58,10 €
5,31 € 531,00 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: JFET'ler
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
650 V
20 V
32 A
80 mOhms
190 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
Marka: onsemi
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: PH
Ürün Tipi: JFETs
Fabrika Paket Miktarı: 600
Alt kategori:: Transistors
Ticari Unvan: SiC JFET
Birim Ağırlık: 15,489 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.