UJ4SC075010L8SSR

onsemi
772-UJ4SC075010L8SSR
UJ4SC075010L8SSR

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs UJ4SC075010L8S

Yaşam Döngüsü:
Fabrika Özel Siparişi:
Üreticinin mevcut fiyatını, teslimat süresini ve sipariş gereksinimlerini doğrulamak için bir fiyat teklifi alın.
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stok Durumu

Stok:
Mevcut Değil

Fiyatlandırma (EUR)

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
MO-229-8
N-Channel
1 Channel
750 V
106 A
10.7 mOhms
- 20 V, + 20 V
5.5 V
75 nC
- 55 C
+ 175 C
556 W
Enhancement
SiC FET
Marka: onsemi
Yapılandırma: Single
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: CN
Düşüş Zamanı: 12.8 ns
Ürün: SiC FET
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 22.4 ns
Seri: UJ4C
Fabrika Paket Miktarı: 200
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 65 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 17.6 ns
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.