Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

LSIC1MO120E0120

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

576-LSIC1MO120E0120

Ürt. Numarası:

LSIC1MO120E0120

Ürt.:

IXYS

Yaşam Döngüsü:

Fabrika Özel Siparişi:

Üreticinin mevcut fiyatını, teslimat süresini ve sipariş gereksinimlerini doğrulamak için bir fiyat teklifi alın.

Veri Sayfası:

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Stok:: Mevcut Değil

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Teklif Talep Edin

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	IXYS
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-3
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	27 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	150 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	1.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	80 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Pd - Güç Dağılımı:	139 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	IXYS
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	10 ns
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	7 ns
Seri:	LSIC1MO
Fabrika Paket Miktarı:	450
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	16 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	12 ns
Birim Ağırlık:	6 g