IMBF170R1K0M1XTMA1

Infineon Technologies
726-IMBF170R1K0M1XTM
IMBF170R1K0M1XTMA1

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 741

Stok:
741
Hemen Gönderilebilir
Siparişte:
4.000
Beklenen 2.03.2026
Fabrika Teslim Süresi:
26
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Bu ürün için uzun teslimat süresi bildirilmiştir.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
4,09 € 4,09 €
2,70 € 27,00 €
2,03 € 203,00 €
1,84 € 920,00 €
Tam Makara (1000'in katları olarak sipariş verin)
1,52 € 1.520,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Infineon
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
5.2 A
1 Ohms
- 10 V, + 20 V
4.5 V
5 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
CoolSiC
Marka: Infineon Technologies
Düşüş Zamanı: 22 ns
İleri İletkenlik - Min: 0.42 S
Paketleme: Reel
Paketleme: Cut Tape
Paketleme: MouseReel
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 11 ns
Seri: CoolSiC 1700V
Fabrika Paket Miktarı: 1000
Alt kategori:: Transistors
Teknoloji: SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 20 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 19 ns
Parça No Takma Adları: IMBF170R1K0M1 SP002739692
Birim Ağırlık: 1,600 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs

Infineon CoolSiC™ 1700V SiC Trench MOSFETs feature a revolutionary Silicon Carbide material optimized for fly-back topologies. The SiC Trench MOSFETs offer a 12V/0V gate-source voltage compatible with most fly-back controllers.