BSM180D12P3C007

ROHM Semiconductor
755-BSM180D12P3C007
BSM180D12P3C007

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET Modules Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
ROHM Semiconductor BSM180D12P3C007 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 12

Stok:
12 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
27 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
12'dan büyük miktarlar minimum sipariş gerekliliklerine tabi olacaktır.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
553,62 € 553,62 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
ROHM Semiconductor
Ürün Kategorisi: MOSFET Modules
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
180 A
- 4 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
880 W
BSMx
Tray
Marka: ROHM Semiconductor
Yapılandırma: Dual
Montaj Ülkesi: Not Available
Dağıtım Ülkesi: Not Available
Menşe Ülke: JP
Düşüş Zamanı: 50 ns
Yükseklik: 21.1 mm
Uzunluk: 122 mm
Ürün Tipi: MOSFET Modules
Yükseliş zamanı: 70 ns
Fabrika Paket Miktarı: 12
Alt kategori:: Discrete and Power Modules
Tip: SiC Power Module
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 165 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 50 ns
Vr - Ters Voltaj: 1.2 kV
Genişlik: 45.6 mm
Birim Ağırlık: 302,171 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8504901900
USHTS:
8541590080
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.