C3M0021120D

Wolfspeed
941-C3M0021120D
C3M0021120D

Ürt.:

Açıklama:
SiC MOSFETs 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET

Veri Sayfası:
ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.
Daha Fazla Bilgi
Wolfspeed C3M0021120D hakkında daha fazla bilgi edinin

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
Wolfspeed
Ürün Kategorisi: SiC MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
100 A
28.8 mOhms
- 4 V, + 15 V
1.8 V
160 nC
- 40 C
+ 175 C
469 W
Enhancement
Marka: Wolfspeed
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 25 ns
İleri İletkenlik - Min: 35 S
Paketleme: Tube
Ürün Tipi: SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı: 27 ns
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Transistors
Transistör Polaritesi: N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 72 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 142 ns
Birim Ağırlık: 6 g
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

Uyumluluk Kodları
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Menşe Sınıflandırmaları
Menşe Ülke:
Çin
Montaj Ülkesi:
Stokta yok
Dağıtım Ülkesi:
Stokta yok
Ülke, sevkiyat anında değişikliğe tabidir.

SiC C3M MOSFETs

Wolfspeed SiC C3M MOSFETs enable higher switching frequencies and reduce inductor, capacitor, filter, and transformer component sizes. The Wolfspeed SiC C3M MOSFETs have higher system efficiency and reduced cooling requirements. The MOSFETs also increase power density and system switching frequency.

1.200 V Silikon Karbür Güç MOSFET'leri

Wolfspeed  1.200 V Silisyum Karbür Güç MOSFET'leri performans, sağlamlık ve tasarım kolaylığı açısından standartları belirler. Wolfspeed MOSFET'leri hızlı anahtarlama ve düşük anahtarlama kaybı yetenekleri ile öne çıkarak, silikon MOSFET ve IGBT rakiplerine kıyasla sistem verimliliği, güç yoğunluğu ve genel BOM maliyetinde önemli bir iyileşmeyi garanti eder.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes offer higher efficiency in demanding environments and are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. The MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density. The 1200V SiC Schottky diodes feature the merged PiN Schottky (MPS) design technology, which is more robust and reliable than typical Schottky barrier diodes. The diodes offer high surge current capability, high-frequency operation, easy parallel operation, and reduced heat sink requirements. The MOSFETs and diodes are ideal for uninterruptible power supplies (UPS), motor control and drives, switched-mode power supplies (SMPS), electric vehicle charging, and high-voltage DC/DC converters.

Stok Durumu

Stok:
0

Bu ürünü hâlâ tekrar siparişle satın alabilirsiniz.

Siparişte:
695
Beklenen 12.10.2026
Fabrika Teslim Süresi:
18
Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
16,56 € 16,56 €
9,70 € 97,00 €

Beklenmeyen bir hata oluştu.


Bir sorunuz mu var? Lütfen Yardım Merkezi'ni ziyaret edin.
Belirli bir siparişle ilgili sorularınız için lütfen hesabınıza giriş yapın.

Başka sorunlarla karşılaşırsanız, lütfen 800-346-6873 numarasından veya help@mouser.com e-posta adresinden bizimle iletişime geçin.