Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

C3M0021120K1

Name: Wolfspeed C3M0021120K1
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0021120K1
Price: 15.47 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-C3M0021120K1

Ürt. Numarası:

C3M0021120K1

Ürt.:

Wolfspeed

Açıklama:

SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Yaşam Döngüsü:

Yeni Ürün:

Bu üreticiden yeni.

Veri Sayfası:

C3M0021120K1 Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Wolfspeed C3M0021120K1 hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 166

Stok:: 166 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	15,47 €	15,47 €
	9,63 €	96,30 €
	8,83 €	1.059,60 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Wolfspeed
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	100 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	35 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	3.8 V
Qg - Kapı Şarjı:	177 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	405 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Wolfspeed
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	13 ns
İleri İletkenlik - Min:	35 S
Ürün:	MOSFETs
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	39 ns
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Transistör Tipi:	1 N-Channel
Tip:	Silicon Carbide Power MOSFET
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	54 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	17 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

C3M0021120K1 Veri Sayfası (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-4 Düşük Profil 1.200 V SiC Güç MOSFET'leri

Wolfspeed TO-247-4 Düşük Profil 1.200 V Silikon Karbür (SiC) Güç MOSFET'leri, düşük kapasitanslı yüksek hızlı anahtarlama ve düşük iletim dirençli yüksek blokaj voltaj özellikleri sunmaktadır. Bu güç MOSFET'leri, anahtarlama kayıplarını ve soğutma gereksinimlerini azaltmakta ve kapı çınlamasını en aza indirmektedir. 1.200 V SiC güç MOSFET'leri düşük ters kurtarma süresine (Q_rr) sahip hızlı bir dahili diyot içerir. Bu güç MOSFET'leri, güç yoğunluğunu ve sistem anahtarlama frekansını artırmaktadır. 1.200 V SiC güç MOSFET'leri ayrı sürücü kaynak pinlerine sahip optimize edilmiş paketler halinde gelmekte ve daha düşük profilli TO-247-4 paket gövdesinde sunulmaktadır. Bu güç MOSFET'leri halojen içermemektedir ve RoHS uyumludur. Tipik uygulamalar arasında motor kontrolü, EV batarya şarj cihazları, yüksek voltajlı DC/DC dönüştürücüler, güneş enerjisi/ESS, UPS ve kurumsal PSU bulunmaktadır.

Silicon Carbide 1200V MOSFETs & Diodes

Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) 1200V MOSFETs and Diodes create a powerful combination of higher efficiency in demanding applications. These MOSFETs and Schottky diodes are designed for high-power applications. The 1200V SiC MOSFETs feature stable Rds(on) over-temperature and avalanche ruggedness. These MOSFETs are rugged body diodes that do not require external diodes and are easier to drive as these offer a 15V gate drive. The 1200V SiC MOSFETs improve system-level efficiency, lower switching and conduction losses, and improve system-level power density.

1.200 V Silikon Karbür Güç MOSFET'leri

Wolfspeed 1.200 V Silisyum Karbür Güç MOSFET'leri performans, sağlamlık ve tasarım kolaylığı açısından standartları belirler. Wolfspeed MOSFET'leri hızlı anahtarlama ve düşük anahtarlama kaybı yetenekleri ile öne çıkarak, silikon MOSFET ve IGBT rakiplerine kıyasla sistem verimliliği, güç yoğunluğu ve genel BOM maliyetinde önemli bir iyileşmeyi garanti eder.