Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

CG2H40010F

Name: MACOM CG2H40010F
Brand: MACOM
SKU: 941-CG2H40010F
Price: 86.78 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

941-CG2H40010F

Ürt. Numarası:

CG2H40010F

Ürt.:

MACOM

Açıklama:

GaN FETs GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt

Veri Sayfası:

CG2H40010F Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

MACOM CG2H40010F hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 902

Stok:: 902 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 26 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Bu Ürün ÜCRETSİZ Gönderilir

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	86,78 €	86,78 €
	67,08 €	670,80 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	MACOM
Ürün Kategorisi:	GaN FETs
RoHS:
Montaj Stili:	Screw Mount
Paket / Kasa:	440166
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	120 V
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	1.5 A
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	- 2.7 V
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 40 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 150 C
Marka:	MACOM
Kazanç:	16.5 dB
Maksimum Çalışma Frekansı:	6 GHz
Minimum Çalışma Frekansı:	0 Hz
Çıkış Gücü:	10 W
Paketleme:	Tray
Ürün Tipi:	GaN FETs
Fabrika Paket Miktarı:	100
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	GaN
Transistör Tipi:	GaN HEMT
Vgs - Kapı Kaynağı Arıza Voltajı:	- 10 V, 2 V
Birim Ağırlık:	4,200 g

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

CG2H40010F Veri Sayfası (PDF)

PCN

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.