Tarayıcınızda JavaScript'i devre dışı bırakmışsınız gibi görünüyor. Bu sayfadaki bazı işlevler giriş yapmadığınız sürece çalışmayacaktır.

Arama Sonuçlarına Geri Dön

Bir Hata mı Gördünüz?

DMWSH120H28SM4Q

Name: Diodes Incorporated DMWSH120H28SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMWSH120H28SM4Q
Price: 28.37 EUR
Availability: InStock

Resimler sadece referans içindir
Ürün Teknik Özelliklerine Bakın

Mouser Numarası:

621-DMWSH120H28SM4Q

Ürt. Numarası:

DMWSH120H28SM4Q

Ürt.:

Diodes Incorporated

Açıklama:

SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

Veri Sayfası:

DMWSH120H28SM4Q Veri Sayfası (PDF)

ECAD Modeli:

Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Daha Fazla Bilgi

Diodes Incorporated DMWSH120H28SM4Q hakkında daha fazla bilgi edinin

Stokta Var: 20

Stok:: 20 Hemen Gönderilebilir

Beklenmeyen bir hata oluştu. Lütfen daha sonra tekrar deneyin.
Fabrika Teslim Süresi:: 40 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.

Miktar Girin:

Minimum: 1 Çoklu: 1

Birim Fiyat:

-,-- €

Toplam Fiyat:

-,-- €

Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar	Birim Fiyat	Toplam Fiyat
	28,37 €	28,37 €
	21,74 €	217,40 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Ürün Niteliği	Öznitelik Değeri	Özellik Seçin
Üretici Firma:	Diodes Incorporated
Ürün Kategorisi:	SiC MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montaj Stili:	Through Hole
Paket / Kasa:	TO-247-4
Transistör Polaritesi:	N-Channel
Kanal Sayısı:	1 Channel
Vds - Tahliye-Kaynak Arıza Voltajı:	1.2 kV
Id - Sürekli Tahliye Akımı:	100 A
Rds Açık - Tahliye-Kaynağı Direnci:	28.5 mOhms
Vgs - Kapı-Kaynağı Voltajı:	- 8 V, + 19 V
Vgs th - Kapı-Kaynağı Eşik Voltajı:	2.5 V
Qg - Kapı Şarjı:	173.7 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı:	- 55 C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı:	+ 175 C
Pd - Güç Dağılımı:	429 W
Kanal Modu:	Enhancement
Marka:	Diodes Incorporated
Yapılandırma:	Single
Düşüş Zamanı:	12.52 ns
İleri İletkenlik - Min:	15 S
Paketleme:	Tube
Ürün Tipi:	SiC MOSFETS
Yükseliş zamanı:	40.06 ns
Fabrika Paket Miktarı:	30
Alt kategori::	Transistors
Teknoloji:	SiC
Tipik Kapatma Gecikme Süresi:	48 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi:	23.83 ns

Bulunan ürünler:

Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin

Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.

Seçilen özellikler: 0

Belgeyi Filtrele:

Veri Sayfası

DMWSH120H28SM4Q Veri Sayfası (PDF)

Bu işlev için JavaScript'in etkinleştirilmesi gerekir.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N-Channel Power MOSFETs are silicon carbide MOSFETs designed to minimize the on-state resistance and maintain excellent switching performance. These MOSFETs feature low input capacitance, up to 100μA zero gate voltage drain current, up to ±250nA gate-source leakage, and a high BV_DSS rating for power applications. The DMWSH120Hx MOSFETs operate within the -55°C to 175°C temperature range and comply with the UL 94V-0 flammability classification rating. These power MOSFETs are ideal for EV high-power DC-DC converters, EV charging systems, solar inverters, AC-DC traction inverters, and automotive motor drivers.