FDMS86182

onsemi
512-FDMS86182
FDMS86182

Ürt.:

Açıklama:
MOSFET'ler PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 13.972

Stok:
13.972 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
19 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:
Paketleme:
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
Hazır Kesim Bant / MouseReel™
2,34 € 2,34 €
1,40 € 14,00 €
0,989 € 98,90 €
0,858 € 429,00 €
0,813 € 813,00 €
Tam Makara (3000'in katları olarak sipariş verin)
0,813 € 2.439,00 €
† 5,00 € MouseReel™ ücreti alışveriş sepetinize eklenecek ve hesaplanacaktır. MouseReel™ siparişleri iptal veya iade edilemez.

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: MOSFET'ler
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
Power-56-8
N-Channel
1 Channel
100 V
78 A
5.9 mOhms
- 20 V, 20 V
2 V
37 nC
- 55 C
+ 150 C
83 W
Enhancement
PowerTrench
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marka: onsemi
Yapılandırma: Single
Düşüş Zamanı: 4 ns
İleri İletkenlik - Min: 63 S
Ürün Tipi: MOSFETs
Yükseliş zamanı: 4 ns
Seri: FDMS86182
Fabrika Paket Miktarı: 3000
Alt kategori:: Transistors
Transistör Tipi: 1 N-Channel
Tipik Kapatma Gecikme Süresi: 18 ns
Tipik Açılma Gecikme Süresi: 13 ns
Birim Ağırlık: 68,100 mg
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are 100V N-channel MV MOSFETs developed using an advanced PowerTrench process that integrates Shielded Gate Technology. These MOSFETs minimize on-state resistance (RDSON) and reverse recovery charge (Qrr) to deliver superior switching performance and efficiency. The small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr), and Figure of Merit (FOM) ensure fast switching for synchronous rectification applications. These devices have little to no voltage overshoot, reduces voltage ringing, and lowers EMI for applications requiring a 100V-rated MOSFET such as power supplies and motor drives. The power density of these MOSFETs allows wider MOSFET de-rating. These devices are 100% UIL tested and are available in an MSL1 robust package design.