FFSH4065BDN-F085

onsemi
863-FFSH4065BDN-F085
FFSH4065BDN-F085

Ürt.:

Açıklama:
SiC Schottky Diodes 650V

ECAD Modeli:
Bu dosyayı ECAD Aracınız için dönüştürmek için ücretsiz Library Loader dosyasını indirin. ECAD Model hakkında daha fazla bilgi edinin.

Stokta Var: 680

Stok:
680 Hemen Gönderilebilir
Fabrika Teslim Süresi:
10 Hafta Gösterilenden daha büyük miktarlar için fabrikada tahmini üretim süresi.
Minimum: 1   Çoklu: 1
Birim Fiyat:
-,-- €
Toplam Fiyat:
-,-- €
Tahmini Gümrük Vergisi:

Fiyatlandırma (EUR)

Miktar Birim Fiyat
Toplam Fiyat
11,45 € 11,45 €
6,51 € 65,10 €
5,98 € 717,60 €

Ürün Niteliği Öznitelik Değeri Özellik Seçin
onsemi
Ürün Kategorisi: SiC Schottky Diodes
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
Dual Anode Common Cathode
40 A
650 V
1.38 V
84 A
40 uA
- 55 C
+ 175 C
FFSH4065BDN-F085
AEC-Q101
Tube
Marka: onsemi
Pd - Güç Dağılımı: 127 W
Ürün Tipi: SiC Schottky Diodes
Fabrika Paket Miktarı: 30
Alt kategori:: Diodes & Rectifiers
Ticari Unvan: EliteSiC
Vr - Ters Voltaj: 650 V
Bulunan ürünler:
Benzer ürünleri göstermek için en az bir onay kutusu seçin
Bu kategorideki benzer ürünleri göstermek için yukarıda en az bir onay kutusu seçin.
Seçilen özellikler: 0

CNHTS:
8541590000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

FFSPx065BDN-F085 Automotive SiC Schottky Diodes

onsemi FFSPx065BDN-F085 Automotive Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are AEC-Q101-qualified devices designed to leverage the advantages of Silicon Carbide (Si) over Silicon. The FFSPx065BDN-F085 SiC Schottky Diodes feature drastically higher forward surge capability, lower reverse leakage, and no reverse recovery current. These SiC Schottky Diodes also offer temperature-independent switching and excellent thermal performance. This results in improved system efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size/cost.

650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes

onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.

D2 EliteSiC Diodes

onsemi D2 EliteSiC Diodes are a range of high-performance diodes designed for applications requiring a voltage rating of 650V. The onsemi D2 is available in various packages, including DPAK-3, D2PAK-2, D2PAK-3, PQFN-4, TO-220-2, TO-220-3, TO-247-2, and TO-247-3. These diodes offer low capacitive charge (QC) and are optimized for high-speed switching with low forward voltage. These features make the diodes ideal for power factor correction (PFC) and output rectification applications.